凝結(jié)過(guò)程是指從蒸發(fā)源中或?yàn)R射靶上被蒸發(fā)或?yàn)R射出來(lái)的原子、離子或分子人射到基底表面之后，從氣相到吸附相，再到凝結(jié)相的一個(gè)相變過(guò)程，它是薄膜形成的*個(gè)階段。
    固體表面與固體內(nèi)部在晶體結(jié)構(gòu)上的重大差異就是原子或分子間的化學(xué)鍵中斷。原子或分子在固體表面形成的這種中斷鍵稱(chēng)為不飽和鍵或懸掛鍵。這種鍵具有吸引外來(lái)原子或分子的能力。人射到基體表面的氣相原子被這種懸掛鍵吸引住的現(xiàn)象稱(chēng)為吸附。如果吸附僅僅是由原子電偶極矩之間的范德華力起作用稱(chēng)為物理吸附;若吸附是由化學(xué)鍵結(jié)合力起作用則稱(chēng)為化學(xué)吸附。固體表面的這種特殊狀態(tài)使它具有一種特殊的能量為表面自由能。吸附現(xiàn)象會(huì)使表面自由能減小。伴隨吸附現(xiàn)象的發(fā)生而釋放的一定的能量稱(chēng)為吸附能。將吸附在固體表面上的氣相原子除掉稱(chēng)為解吸，除掉被吸附氣相原子的能量稱(chēng)為解吸能。
   從蒸發(fā)源或?yàn)R射靶人射到基底表面的氣相原子都有一定的能量。它們到達(dá)基片表面之后可能發(fā)生三種現(xiàn)象:
   (1)與基底表面原子進(jìn)行能量交換被吸附;
   (2)吸附后氣相原子仍有較大的解吸能，在基底表面作短暫停留后再解吸蒸發(fā)(再蒸發(fā)或二次蒸發(fā));
   (3)與基底表面不進(jìn)行能量交換，入射到基底表面上立即反射回去。
   吸附過(guò)程的能量曲線如圖5一I所示。當(dāng)人射到基底表面的氣相原子的動(dòng)能較小時(shí)，處于物理吸附狀態(tài)，其吸附能用Qp表示.當(dāng)這種氣相原子的動(dòng)能較大但小于或等于激活能ER時(shí)則可產(chǎn)生化學(xué)吸附。達(dá)到完全化學(xué)吸附的數(shù)量,Ed與凡的差值Qc稱(chēng)為化學(xué)吸附能。因?yàn)镼o大于q，所以只有動(dòng)能較大的氣相原子才能和基體表面產(chǎn)生化學(xué)吸附。當(dāng)這種氣相原子具有的動(dòng)能大于Ed時(shí)，它將不被基體表面吸附，通過(guò)再蒸發(fā)或解吸而轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀?。因此Ed又稱(chēng)為解吸能。